IXTP62N15P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 150В, 62А, 350Вт, TО220
![Фото 1/4 IXTP62N15P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 150В, 62А, 350Вт, TО220](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806584.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254662.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
5 600 ֏
от 10 шт. —
3 960 ֏
от 50 шт. —
3 260 ֏
от 100 шт. —
3 110 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 600 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор полевой IXTP62N15P производства IXYS – надежный компонент для силовой электроники. Предназначен для монтажа в отверстия печатных плат (THT), этот N-MOSFET транзистор характеризуется током стока 62 А и напряжением сток-исток 150 В, что делает его подходящим для высокопроизводительных применений. Мощность устройства достигает 350 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,04 Ом минимизирует потери мощности. Корпус TO220 обеспечивает удобство монтажа и достаточное рассеивание тепла. Используя компонент IXTP62N15P в своих схемах, вы получаете высокую эффективность и надежность. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 62 |
Напряжение сток-исток, В | 150 |
Мощность, Вт | 350 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.04 |
Корпус | TO220 |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 62 A |
Pd - рассеивание мощности | 350 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 38 ns |
Время спада | 35 ns |
Высота | 9.15 mm |
Длина | 10.66 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IXTP62N15 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 76 ns |
Типичное время задержки при включении | 27 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.83 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 62 A |
Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 350 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Polar |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
Width | 4.83mm |
Вес, г | 2.03 |