IXTH76N25T, Транзистор N-MOSFET, 250В, 76А, 460Вт, TO247-3, 148нс
![Фото 1/3 IXTH76N25T, Транзистор N-MOSFET, 250В, 76А, 460Вт, TO247-3, 148нс](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/847/DOC004847084.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
7 200 ֏
от 3 шт. —
6 400 ֏
от 10 шт. —
4 940 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 200 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор N-MOSFET, 250В, 76А, 460Вт, TO247-3, 148нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 76 A |
Pd - рассеивание мощности | 460 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 39 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 29 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXTH76N25 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 56 ns |
Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 6.22 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 206 КБ