BCP5510TA, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223
![Фото 1/2 BCP5510TA, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735674.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/147/DOC013147643.jpg)
132 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт. —
88 ֏
от 250 шт. —
75 ֏
10 шт.
на сумму 1 320 ֏
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
Configuration: | Single |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 63 |
DC Current Gain hFE Max: | 160 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 1 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-223-4 |
Pd - Power Dissipation: | 2 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | BCP55 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet BCP5516TA
pdf, 385 КБ