IRF740LCPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, TO220AB
![Фото 1/7 IRF740LCPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, TO220AB](https://static.chipdip.ru/lib/192/DOC036192242.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166247.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/722/DOC033722825.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/722/DOC033722829.jpg)
1 560 ֏
от 3 шт. —
1 200 ֏
от 10 шт. —
1 020 ֏
от 50 шт. —
820 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 560 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, TO220AB Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
Product Category | Power MOSFET |
Process Technology | HEXFET |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 550@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 39(Max)@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 39(Max) |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1100@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
Typical Fall Time (ns) | 20 |
Typical Rise Time (ns) | 31 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 25 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | TO-220AB |
Standard Package Name | TO-220 |
Military | No |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 9.01(Max) |
Package Length | 10.41(Max) |
Package Width | 4.7(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Through Hole |
Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
Pd - рассеивание мощности | 125 W |
Qg - заряд затвора | 39 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Brand | Vishay Semiconductors |
Factory Pack Quantity | 50 |
Fall Time | 20 ns |
Height | 9.01 mm |
Id - Continuous Drain Current | 10 A |
Length | 10.41 mm |
Manufacturer | Vishay |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 125 W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
Rise Time | 31 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
Unit Weight | 0.211644 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 4.7 mm |
Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
Maximum Drain Source Resistance | 550 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Power Dissipation | 125 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220AB |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 267 КБ
Datasheet
pdf, 147 КБ
Datasheet IRF740LCPBF
pdf, 271 КБ
Документация
pdf, 270 КБ