IXTA52P10P, Транзистор P-MOSFET, PolarP™, полевой, -100В, -52А, 300Вт, TO263
![Фото 1/2 IXTA52P10P, Транзистор P-MOSFET, PolarP™, полевой, -100В, -52А, 300Вт, TO263](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955325.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516337.jpg)
7 600 ֏
от 3 шт. —
6 700 ֏
от 10 шт. —
5 200 ֏
от 50 шт. —
4 230 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 600 ֏
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, PolarP™, полевой, -100В, -52А, 300Вт, TO263 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 52 A |
Pd - рассеивание мощности | 300 W |
Qg - заряд затвора | 60 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 29 ns |
Время спада | 22 ns |
Высота | 4.83 mm |
Длина | 10.41 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IXTA52P10 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 38 ns |
Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.65 mm |
Вес, г | 1.54 |