IKW75N60H3FKSA1, Транзистор IGBT, 600В, 75А, 428Вт, TO247-3
![Фото 1/2 IKW75N60H3FKSA1, Транзистор IGBT, 600В, 75А, 428Вт, TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/945/DOC035945539.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/052/DOC045052432.jpg)
12 600 ֏
от 3 шт. —
9 900 ֏
от 10 шт. —
8 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 600 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
The Infineon high speed 600 V, 75 A hard-switching TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with free-wheeling diode in a TO-247 package provides the best compromise between switching and conduction losses.
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 75A |
Collector-emitter voltage | 600V |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 470nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Mounting | THT |
Power dissipation | 428W |
Pulsed collector current | 225A |
Semiconductor structure | single transistor |
Technology | TRENCHSTOP™ |
Turn-off time | 332ns |
Turn-on time | 85ns |
Type of transistor | IGBT |
Maximum Power Dissipation | 428 W |
Package Type | PG-TO247-3 |
Вес, г | 6.19 |