IXTP4N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 4А, 80Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 760 ֏
от 3 шт. —
2 270 ֏
от 10 шт. —
1 980 ֏
от 50 шт. —
1 480 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 760 ֏
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 4А, 80Вт, TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 850 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | X2-Class |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Width | 15.9mm |
| Вес, г | 2.7 |
