IXFA7N80P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 800В, 7А, 200Вт, TO263, 250нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 560 ֏
от 3 шт. —
3 070 ֏
от 10 шт. —
2 420 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 560 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 800В, 7А, 200Вт, TO263, 250нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO263 |
| Drain current | 7A |
| Drain-source voltage | 800V |
| Gate charge | 32nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 1.44Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 200W |
| Reverse recovery time | 250ns |
| Technology | HiPerFET™, Polar™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 198 КБ
