IXFH150N20T, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 150А, 890Вт, TO247-3, 100нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 800 ֏
от 3 шт. —
17 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 19 800 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 150А, 890Вт, TO247-3, 100нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 150 A |
| Pd - рассеивание мощности | 890 W |
| Qg - заряд затвора | 177 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXFH150N20 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес, г | 6.26 |
