MMBT6427-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 40В, 500мА, 300мВт, SOT23-3

Фото 1/2 MMBT6427-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 40В, 500мА, 300мВт, SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
66 ֏
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
от 100 шт.53 ֏
от 500 шт.40 ֏
25 шт. на сумму 1 650 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002571681
Бренд: DIODES INC.

Технические параметры

Case SOT23
Collector current 0.5A
Collector-emitter voltage 40V
Kind of package reel, tape
Kind of transistor Darlington
Manufacturer DIODES INCORPORATED
Mounting SMD
Polarisation bipolar
Power dissipation 0.3W
Type of transistor NPN
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hfe Min: 10000
Emitter- Base Voltage VEBO: 12 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Collector Cut-off Current: 50 nA
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Product Category: Darlington Transistors
Product Type: Darlington Transistors
Series: MMBT6427
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Collector Current (Ic) 500mA
Collector cut-off current (Icbo@Vcb) 1uA
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1.5V@500mA, 500uA
Collector-emitter voltage (Vceo) 40V
DC current gain (hFE@Vce,Ic) 20000@5V, 100mA
Power Dissipation (Pd) 300mW
Transistor Type NPN
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet MMBT6427-7-F
pdf, 118 КБ