IXFN26N100P, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 23А, SOT227B, Ugs: ±40В, винтами
![Фото 1/2 IXFN26N100P, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 23А, SOT227B, Ugs: ±40В, винтами](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744356.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC004012708.jpg)
66 600 ֏
от 3 шт. —
58 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 66 600 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFET
Описание Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 23А, SOT227B, Ugs: ±40В, винтами Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Вес, г | 30.01 |