IGW50N60T, Транзистор: IGBT, 600В, 64А, 333Вт, TO247-3

Фото 1/2 IGW50N60T, Транзистор: IGBT, 600В, 64А, 333Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 600 ֏
от 3 шт.4 840 ֏
от 10 шт.3 810 ֏
от 30 шт.3 240 ֏
1 шт. на сумму 5 600 ֏
Номенклатурный номер: 8002578920

Описание

Описание Транзистор БТИЗ IGW50N60T от производителя INFINEON – высокомощный полупроводниковый компонент, предназначенный для эффективного коммутирования и усиления сигналов в различных электронных устройствах. Модель характеризуется током коллектора до 50 А и напряжением коллектор-эмиттер до 600 В, что обеспечивает его применение в силовой электронике. Мощность устройства достигает 333 Вт, что гарантирует стабильность работы в условиях высоких нагрузок. Монтаж данного транзистора осуществляется методом THT, что упрощает процесс интеграции в печатные платы. Вид IGBT указывает на биполярный тип с изолированным затвором, предоставляя преимущества в управлении мощными нагрузками. Данный компонент поставляется в надежном корпусе PG-TO247-3, обеспечивающем эффективный теплоотвод и простоту монтажа. Идеален для широкого спектра применений, включая преобразователи частоты, источники питания и сварочное оборудование. Приобретая IGW50N60T, вы получаете надежный и долговечный компонент для вашей электроники. Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT
Монтаж THT
Ток коллектора, А 50
Напряжение коллектор-эмиттер, В 600
Мощность, Вт 333
Корпус PG-TO247-3

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 90 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 240
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Part # Aliases: SP000054926 IGW5N6TXK IGW50N60TFKSA1
Pd - Power Dissipation: 333 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: TRENCHSTOP IGBT
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: TRENCHSTOP
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 445 КБ