IXFP26N30X3, Транзистор: N-MOSFET, X3-Class, полевой, 300В, 26А, 170Вт, TO220AB, 105с

Фото 1/3 IXFP26N30X3, Транзистор: N-MOSFET, X3-Class, полевой, 300В, 26А, 170Вт, TO220AB, 105с
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 180 ֏
от 3 шт.3 650 ֏
от 10 шт.2 840 ֏
от 50 шт.2 420 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 180 ֏
Номенклатурный номер: 8002579527
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, X3-Class, полевой, 300В, 26А, 170Вт, TO220AB, 105с Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 26 A
Pd - рассеивание мощности 170 W
Qg - заряд затвора 22 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 66 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 300 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 25 ns
Время спада 19 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HiPerFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 14 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Серия HiPerFET
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 80 ns
Типичное время задержки при включении 23 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Вес, г 2.07