IXFP60N25X3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 60А, 320Вт, TO220-3, 95нс
![Фото 1/2 IXFP60N25X3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 60А, 320Вт, TO220-3, 95нс](https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC043737174.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
8 300 ֏
от 3 шт. —
6 500 ֏
от 10 шт. —
5 500 ֏
от 50 шт. —
4 770 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 300 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 60А, 320Вт, TO220-3, 95нс Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
Fall Time: | 7 ns |
Forward Transconductance - Min: | 30 S |
Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 320 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 50 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 19 mOhms |
Rise Time: | 10 ns |
Series: | X3-Class |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | HiPerFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Вес, г | 2.08 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 313 КБ