IXFH120N20P, Транзистор N-MOSFET, 200В, 120А, 714Вт, TO247-3, 100нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 700 ֏
от 3 шт. —
12 500 ֏
от 10 шт. —
10 100 ֏
от 30 шт. —
8 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 700 ֏
Описание
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 22 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 714 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Polar |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 152 nC @ 10 V |
| Width | 5.3mm |
| Вес, г | 6.13 |
