IXFH220N06T3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 220А, 440Вт, TO247-3, 38нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 000 ֏
от 3 шт. —
6 200 ֏
от 10 шт. —
4 760 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 000 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор полевой IXFH220N06T3 производства IXYS – это высококачественный компонент, предназначенный для монтажа в отверстия печатной платы (THT). Устройство характеризуется мощным током стока до 220 А и напряжением сток-исток 60 В, что делает его идеальным для использования в силовой электронике. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,004 Ом, что обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери мощности. Тип N-MOSFET этого транзистора обеспечивает отличные переключательные характеристики. Корпус TO220AB гарантирует удобную установку и надежное теплоотведение. Приобретая IXFH220N06T3, вы получаете надежный компонент, способный выдерживать значительные нагрузки. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 220 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.004 |
| Корпус | TO220AB |
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 220A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 136nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8500pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 440W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 100A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HiperFETв„ў, TrenchT3в„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 6.23 |
Техническая документация
Datasheet IXFH220N06T3
pdf, 248 КБ
