IXTA180N10T, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 180А, 480Вт, TO263, 72нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 100 ֏
от 3 шт. —
5 400 ֏
от 10 шт. —
4 160 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 100 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 180А, 480Вт, TO263, 72нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO263 |
| Drain current | 180A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Gate charge | 151nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 6.4mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 480W |
| Reverse recovery time | 72ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 286 КБ
