CSD19536KCS, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 150А, 375Вт, TO220-3, NexFET™
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 000 ֏
от 3 шт. —
5 300 ֏
от 10 шт. —
4 060 ֏
от 50 шт. —
3 310 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 000 ֏
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 150А, 375Вт, TO220-3, NexFET™ Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 259 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.2 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.2V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | NexFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 2.825 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
