CSD17577Q3AT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 35А, 53Вт, VSONP8 3,3x3,3мм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 070 ֏
от 5 шт. —
1 540 ֏
от 25 шт. —
1 170 ֏
от 100 шт. —
940 ֏
1 шт.
на сумму 2 070 ֏
Описание
Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Технические параметры
| Case | VSONP8 |
| Dimensions | 3.3x3.3mm |
| Drain current | 35A |
| Drain-source voltage | 30V |
| Gate charge | 12nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | TEXAS INSTRUMENTS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 5.3mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 53W |
| Technology | NexFET™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 750 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 53 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.3 mOhms |
| Rise Time: | 31 ns |
| Series: | CSD17577Q3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Вес, г | 0.06 |
