IXFH6N120, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1,2кВ, 6А, 300Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 900 ֏
от 3 шт. —
11 900 ֏
от 10 шт. —
9 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 900 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1,2кВ, 6А, 300Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 6A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 56nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 300W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.14 |
Техническая документация
Datasheet IXFH6N120
pdf, 137 КБ
