MSMBJ48A, Диод защитный, 600Вт, 53,3В, 7,7А, однонаправленная, DO214AA, ±5%
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 410 ֏
1 шт.
на сумму 1 410 ֏
Описание
Полупроводники\Диоды\Диоды защитные\Диоды защитные SMD\Диоды transil SMD однонаправленные
Технические параметры
| Breakdown voltage | 56.1V |
| Case | DO214AA |
| Leakage current | 1µA |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Max. forward impulse current | 7.7A |
| Max. off-state voltage | 48V |
| Mounting | SMD |
| Peak pulse power dissipation | 0.6kW |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Tolerance | ±5% |
| Type of diode | TVS |
| Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Диоды защитные импортные
pdf, 732 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
