IXTA10P50P, Транзистор P-MOSFET, PolarP™, полевой, -500В, -10А, 300Вт, TO263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 600 ֏
от 3 шт. —
6 700 ֏
от 10 шт. —
5 200 ֏
от 50 шт. —
4 230 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 600 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Технические параметры
| Case | TO263 |
| Drain current | -10A |
| Drain-source voltage | -500V |
| Gate charge | 50nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 1Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 300W |
| Reverse recovery time | 414ns |
| Technology | PolarP™ |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 1.51 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 176 КБ
