IXTP10P15T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -150В, -10А, 83Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 340 ֏
от 3 шт. —
2 890 ֏
от 10 шт. —
2 290 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 340 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P THT
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -150В, -10А, 83Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IXTP10P15 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вес, г | 2.08 |
Техническая документация
Datasheet IXTP10P15T
pdf, 180 КБ
