IXTN210P10T, Модуль, одиночный транзистор, -100В, -210А, SOT227B, Ugs: ±15В
![Фото 1/2 IXTN210P10T, Модуль, одиночный транзистор, -100В, -210А, SOT227B, Ugs: ±15В](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744356.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288127.jpg)
58 300 ֏
от 3 шт. —
49 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 58 300 ֏
Описание
Описание Модуль, одиночный транзистор, -100В, -210А, SOT227B, Ugs: ±15В Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Вес, г | 4 |
Техническая документация
IXTN210P10T
pdf, 174 КБ