IXTP01N100D, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 0,1А, 25Вт, TO220-3, 2нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 700 ֏
от 3 шт. —
6 900 ֏
от 10 шт. —
5 800 ֏
от 50 шт. —
4 840 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 700 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 0,1А, 25Вт, TO220-3, 2нс Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Depletion |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Fall Time: | 64 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 400 mA |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.8 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 Ohms |
| Rise Time: | 10 ns |
| Series: | IXTP01N100 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 2.057 |
Техническая документация
Datasheet IXTP01N100D
pdf, 384 КБ
