IXTP76P10T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -76А, 298Вт, TO220AB
![Фото 1/2 IXTP76P10T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -76А, 298Вт, TO220AB](https://static.chipdip.ru/lib/192/DOC036192242.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769788.jpg)
7 400 ֏
от 50 шт. —
4 760 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 400 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -76А, 298Вт, TO220AB Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO220AB |
Drain current | -76A |
Drain-source voltage | -100V |
Gate charge | 197nC |
Gate-source voltage | ±15V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 25mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 298W |
Reverse recovery time | 70ns |
Technology | TrenchP™ |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 2.033 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 325 КБ