TK35E08N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 55А, 72Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
109 шт., срок 8 недель
1 460 ֏
1 шт.
на сумму 1 460 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Drain current | 55A |
| Drain-source voltage | 80V |
| Gate charge | 25nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 12.2mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 72W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 55 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 12.2 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 72 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | TK |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Width | 4.45mm |
| Вес, г | 1.97 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
