IXFP20N85X, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 850В, 20А, 540Вт, TO220-3, 190нс

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8 400 ֏

от 3 шт. — 6 600 ֏

от 10 шт. — 5 600 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 400 ֏

Номенклатурный номер: 8002621636

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 850В, 20А, 540Вт, TO220-3, 190нс Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	20 A
Pd - рассеивание мощности	540 W
Qg - заряд затвора	63 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	330 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	850 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	28 ns
Время спада	20 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	6 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	44 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	2.08