IXFT24N90P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 900В, 24А, 660Вт, TO268
![Фото 1/3 IXFT24N90P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 900В, 24А, 660Вт, TO268](https://static.chipdip.ru/lib/859/DOC043859470.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/859/DOC004859834.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517356.jpg)
19 600 ֏
от 3 шт. —
15 300 ֏
от 10 шт. —
12 500 ֏
от 30 шт. —
11 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 19 600 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 900В, 24А, 660Вт, TO268 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
Pd - рассеивание мощности | 660 W |
Qg - заряд затвора | 130 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 420 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 6.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 40 ns |
Время спада | 38 ns |
Высота | 5.1 mm |
Длина | 16.05 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 16 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXFT24N90 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 68 ns |
Типичное время задержки при включении | 46 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-268-3 |
Ширина | 14 mm |
Вес, г | 4.09 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 121 КБ