IGW50N60H3, Транзистор БТИЗ, 600В, 50А, 333Вт, PG-TO247-3, Серия H3
![IGW50N60H3, Транзистор БТИЗ, 600В, 50А, 333Вт, PG-TO247-3, Серия H3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 100 ֏
от 3 шт. —
6 100 ֏
от 10 шт. —
4 800 ֏
от 30 шт. —
4 090 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 100 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 50A |
Collector-emitter voltage | 600V |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Manufacturer series | H3 |
Mounting | THT |
Power dissipation | 333W |
Pulsed collector current | 200A |
Semiconductor structure | single transistor |
Technology | TRENCHSTOP™ 3 |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6.16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1988 КБ