TN0702N3-G, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 0,5А, 1Вт, TO92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 980 ֏
от 5 шт. —
1 540 ֏
от 25 шт. —
1 150 ֏
от 100 шт. —
950 ֏
1 шт.
на сумму 1 980 ֏
Описание
МОП-транзистор 20V 1.3Ohm
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Drain-source voltage | 20V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 1.3Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1W |
| Pulsed drain current | 0.5A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Id - непрерывный ток утечки | 530 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 20 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Высота | 5.33 mm |
| Длина | 5.21 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип | FET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Ширина | 4.19 mm |
| Base Product Number | TN0702 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 530mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 20V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| PCN Packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 500mA, 5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Вес, г | 0.22 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 603 КБ
Datasheet TN0702N3-G
pdf, 606 КБ
