IXBN75N170, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,7кВ, Ic: 75А, SOT227B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
109 000 ֏
от 3 шт. —
96 500 ֏
от 10 шт. —
84 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 109 000 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Модули IGBT
Описание Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,7кВ, Ic: 75А, SOT227B Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Вес, г | 37.1 |
