IXTH140P10T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -140А, 568Вт, 130нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 200 ֏
от 3 шт. —
17 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 21 200 ֏
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -140А, 568Вт, 130нс Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 140 A |
| Pd - рассеивание мощности | 568 W |
| Qg - заряд затвора | 400 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 26 ns |
| Время спада | 26 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 115 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXTH140P10 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 86 ns |
| Типичное время задержки при включении | 58 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес, г | 6.15 |
Техническая документация
Datasheet IXTH140P10T
pdf, 172 КБ
