IXTP450P2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 16А, 300Вт, TO220-3, 400нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 800 ֏
от 3 шт. —
4 230 ֏
от 10 шт. —
3 280 ֏
от 50 шт. —
2 690 ֏
1 шт.
на сумму 4 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 16А, 300Вт, TO220-3, 400нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 43 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 330 mOhms |
| Series: | IXTP450 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | Polar2 HiPerFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | PolarP2 Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 2.058 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 138 КБ
