IXA12IF1200PB, Транзистор IGBT, Planar, 1,2кВ, 13А, 85Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 270 ֏
от 3 шт. —
3 780 ֏
от 10 шт. —
2 950 ֏
от 50 шт. —
2 470 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 270 ֏
Описание
Описание Транзистор IGBT, Planar, 1,2кВ, 13А, 85Вт, TO220-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 85 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 2.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXA12IF1200PB
pdf, 152 КБ
