IXFB170N30P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 300В, 170А, 1250Вт, PLUS264™

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

34 700 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 34 700 ֏

Номенклатурный номер: 8002636000

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 300В, 170А, 1250Вт, PLUS264™ Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	170 A
Pd - рассеивание мощности	1.25 kW
Qg - заряд затвора	258 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	18 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	300 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	29 ns
Время спада	16 ns
Высота	26.59 mm
Длина	20.29 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Коммерческое обозначение	Polar, HiPerFET
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	57 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	25
Серия	IXFB170N30
Технология	Si
Тип	Polar Power MOSFET HiPerFET
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	79 ns
Типичное время задержки при включении	41 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	PLUS-264-3
Ширина	5.31 mm
Вес, г	10.24