IXFH160N15T2, Транзистор N-MOSFET, 150В, 160А, 880Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 000 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 160A |
Drain-source voltage | 150V |
Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Gate charge | 253nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 9mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 880W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 6.29 |
Техническая документация
Datasheet IXFH160N15T2
pdf, 196 КБ