IGW40T120, Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 40А, 483Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 100 ֏
от 5 шт. —
7 100 ֏
от 30 шт. —
5 900 ֏
от 120 шт. —
5 100 ֏
1 шт.
на сумму 9 100 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор БТИЗ IGW40T120 от производителя INFINEON – это высокомощный компонент для эффективного управления электрическими нагрузками. Предназначенный для монтажа в отверстия печатной платы (THT), данный транзистор способен выдерживать ток коллектора до 40 А и напряжение коллектор-эмиттер до 1200 В, обеспечивая превосходные характеристики в широком диапазоне применений. С максимальной мощностью 483 Вт и корпусом PG-TO247-3, этот IGBT транзистор является идеальным решением для систем управления мощностью. Продукт IGW40T120 сочетает в себе надежность и производительность, что делает его предпочтительным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 40 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1200 |
Мощность, Вт | 483 |
Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 40A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Mounting | THT |
Power dissipation | 270W |
Pulsed collector current | 105A |
Semiconductor structure | single transistor |
Technology | TRENCHSTOP™ |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 303 КБ