GT30J121Q, Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
64 шт., срок 8 недель
4 360 ֏
1 шт.
на сумму 4 360 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO3PN |
| Collector current | 30A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 170W |
| Pulsed collector current | 60A |
| Turn-off time | 430ns |
| Turn-on time | 240ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 4.84 |
Техническая документация
Datasheet GT30J121
pdf, 182 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
