IXTR90P20P, Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -200В, -53А, 312Вт, 315нс

Фото 1/3 IXTR90P20P, Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -200В, -53А, 312Вт, 315нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
25 600 ֏
от 3 шт.20 500 ֏
от 10 шт.18 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 25 600 ֏
Номенклатурный номер: 8002651223
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P THT
Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -200В, -53А, 312Вт, 315нс Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 53 A
Pd - рассеивание мощности 312 W
Qg - заряд затвора 205 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 48 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 60 ns
Время спада 28 ns
Высота 21.34 mm
Длина 16.13 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Коммерческое обозначение PolarP
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 30 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXTR90P20
Технология Si
Тип PolarP Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 89 ns
Типичное время задержки при включении 32 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.21 mm
Вес, г 4.87

Техническая документация

Datasheet IXTR90P20P
pdf, 142 КБ