IXTR90P20P, Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -200В, -53А, 312Вт, 315нс
![Фото 1/3 IXTR90P20P, Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -200В, -53А, 312Вт, 315нс](https://static.chipdip.ru/lib/450/DOC044450130.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/854/DOC004854576.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
25 600 ֏
от 3 шт. —
20 500 ֏
от 10 шт. —
18 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 25 600 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P THT
Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -200В, -53А, 312Вт, 315нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 53 A |
Pd - рассеивание мощности | 312 W |
Qg - заряд затвора | 205 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 48 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 60 ns |
Время спада | 28 ns |
Высота | 21.34 mm |
Длина | 16.13 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Коммерческое обозначение | PolarP |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXTR90P20 |
Технология | Si |
Тип | PolarP Power MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 89 ns |
Типичное время задержки при включении | 32 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Ширина | 5.21 mm |
Вес, г | 4.87 |
Техническая документация
Datasheet IXTR90P20P
pdf, 142 КБ