IXTP100N04T2, Транзистор N-МОП, полевой, 40В 100A 150Вт 0,007Ом TO220AB
![IXTP100N04T2, Транзистор N-МОП, полевой, 40В 100A 150Вт 0,007Ом TO220AB](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515026.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 670 ֏
от 3 шт. —
2 180 ֏
от 10 шт. —
1 890 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 670 ֏
Описание
МОП-транзистор 100 Amps 40V
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 5.2 ns |
Время спада | 6.4 ns |
Высота | 9.15 mm |
Длина | 10.66 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IXTP100N04 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 15.8 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.83 mm |
Вес, г | 2.07 |
Техническая документация
Datasheet IXTP100N04T2
pdf, 202 КБ