UJ3C065030K3S, Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A

Фото 1/2 UJ3C065030K3S, Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
22 шт., срок 7 недель
41 600 ֏
от 3 шт.34 700 ֏
от 10 шт.31 800 ֏
1 шт. на сумму 41 600 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002654790
Бренд: Qorvo Inc.

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
UJ3C SiC FETs

UnitedSiC / QorvoUJ3C SiC FETs are Silicon Carbide (SiC) FETs are based on a unique cascode configuration and optimized for soft-switching designs. The UJ3C SiC FETs are ideal for upgrading an existing silicon-based device or starting a new SiC-based design. These devices integrate a SiC JFET with a custom-designed Si-MOSFET to produce the ideal combination of normally-OFF operation, high-performance body diode, and easy gate drive of the MOSFET with the efficiency, speed, and high-temperature rating of the SiC JFET. As a result, existing systems can expect a performance increase with lower conduction and switching losses, enhanced thermal properties, and integrated gate ESD protection.

Технические параметры

Brand: Qorvo/UnitedSiC
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Fall Time: 17 ns
Id - Continuous Drain Current: 85 A
Manufacturer: Qorvo
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 441 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 51 nC
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 35 mOhms
Rise Time: 26 ns
Series: UJ3C
Subcategory: MOSFETs
Technology: SiC
Tradename: SiC FET
Transistor Polarity: N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 63 ns
Typical Turn-On Delay Time: 44 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Вес, г 6.16

Техническая документация

Datasheet
pdf, 312 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 4 сентября1 бесплатно
HayPost 8 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг