IXTH96P085T, Транзистор P-МОП, полевой, 85В 96A 298Вт 0,013Ом TO247AD

Фото 1/2 IXTH96P085T, Транзистор P-МОП, полевой, 85В 96A 298Вт 0,013Ом TO247AD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 400 ֏
от 10 шт.6 600 ֏
от 30 шт.6 100 ֏
от 120 шт.5 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 400 ֏
Номенклатурный номер: 8002655103
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Описание Транзистор P-МОП, полевой, 85В 96A 298Вт 0,013Ом TO247AD Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Brand: IXYS
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Fall Time: 22 ns
Forward Transconductance - Min: 40 S
Id - Continuous Drain Current: 96 A
Manufacturer: IXYS
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 298 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 180 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 13 mOhms
Rise Time: 34 ns
Series: IXTH96P085
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 45 ns
Typical Turn-On Delay Time: 23 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 85 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -15 V, +15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Вес, г 6.22

Техническая документация

Datasheet
pdf, 187 КБ