IXTH96P085T, Транзистор P-МОП, полевой, 85В 96A 298Вт 0,013Ом TO247AD
![Фото 1/2 IXTH96P085T, Транзистор P-МОП, полевой, 85В 96A 298Вт 0,013Ом TO247AD](https://static.chipdip.ru/lib/859/DOC043859260.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
9 400 ֏
от 10 шт. —
6 600 ֏
от 30 шт. —
6 100 ֏
от 120 шт. —
5 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 400 ֏
Описание
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 85В 96A 298Вт 0,013Ом TO247AD Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Fall Time: | 22 ns |
Forward Transconductance - Min: | 40 S |
Id - Continuous Drain Current: | 96 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 298 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 180 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 mOhms |
Rise Time: | 34 ns |
Series: | IXTH96P085 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 85 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +15 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 6.22 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 187 КБ