IXTH44P15T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -150В, -44А, 298Вт, 140нс
![Фото 1/2 IXTH44P15T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -150В, -44А, 298Вт, 140нс](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758132.jpg)
8 100 ֏
от 3 шт. —
6 400 ֏
от 10 шт. —
5 400 ֏
от 30 шт. —
4 720 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 100 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -150В, -44А, 298Вт, 140нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | -44A |
Drain-source voltage | -150V |
Gate charge | 175nC |
Gate-source voltage | ±15V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 65mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 298W |
Reverse recovery time | 140ns |
Technology | TrenchP™ |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 6.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 235 КБ