IXFK180N25T, Транзистор N-MOSFET, 250В, 180А, 1390Вт, TO264

IXFK180N25T, Транзистор N-MOSFET, 250В, 180А, 1390Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
22 400 ֏
от 3 шт.18 600 ֏
от 10 шт.16 000 ֏
от 25 шт.14 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 22 400 ֏
Номенклатурный номер: 8002658174
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case TO264
Drain current 180A
Drain-source voltage 250V
Features of semiconductor devices thrench gate power mosfet
Gate charge 364nC
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer IXYS
Mounting THT
On-state resistance 12.9mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 1390W
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 9.83

Техническая документация

Datasheet
pdf, 179 КБ