IXFN50N120SIC, Модуль транзисторный, 47А, винтами, SOT227B, URmax 1,2кВ, винтами
![Фото 1/2 IXFN50N120SIC, Модуль транзисторный, 47А, винтами, SOT227B, URmax 1,2кВ, винтами](https://static.chipdip.ru/lib/978/DOC035978965.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744355.jpg)
101 000 ֏
от 3 шт. —
87 900 ֏
от 10 шт. —
71 500 ֏
1 шт.
на сумму 101 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Описание Модуль транзисторный, 47А, винтами, SOT227B, URmax 1,2кВ, винтами Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | SOT227B |
Drain current | 30A |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Electrical mounting | screw |
Gate charge | 0.1µC |
Gate-source voltage | -10…25V |
Kind of channel | enhanced |
Manufacturer | IXYS |
Mechanical mounting | screw |
On-state resistance | 50mΩ |
Polarisation | unipolar |
Reverse recovery time | 26ns |
Semiconductor structure | single transistor |
Technology | HiPerFET™, SiC |
Type of module | MOSFET transistor |
Вес, г | 37.46 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 299 КБ