IXTX210P10T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -210А, 1040Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 400 ֏
от 3 шт. —
30 900 ֏
от 10 шт. —
27 100 ֏
от 30 шт. —
22 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 36 400 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P THT
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -210А, 1040Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 210A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 740nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 69500pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 1040W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 105A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | TrenchPв„ў -> |
| Supplier Device Package | PLUS247в„ў-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 6.91 |
Техническая документация
Datasheet IXTX210P10T
pdf, 180 КБ
