IXFA4N85X, Транзистор: N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 3,5А, Idm: 10А, 150Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 520 ֏
от 3 шт. —
3 120 ֏
от 10 шт. —
2 550 ֏
от 50 шт. —
2 230 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 520 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 3,5А, Idm: 10А, 150Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO263 |
Drain current | 3.5A |
Drain-source voltage | 850V |
Features of semiconductor devices | ultra junction x-class |
Gate charge | 7nC |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 2.5Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 150W |
Pulsed drain current | 10A |
Reverse recovery time | 170ns |
Technology | HiPerFET™, X-Class |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.49 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 320 КБ