IXFN170N25X3, Модуль, одиночный транзистор, 250В, 146А, SOT227B, Ugs ±30В, 390Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
46 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 46 400 ֏
Описание
Описание Модуль, одиночный транзистор, 250В, 146А, SOT227B, Ugs ±30В, 390Вт Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 170A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13500pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Power Dissipation (Max) | 390W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4mOhm @ 85A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HiPerFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
| Вес, г | 30.01 |
Техническая документация
Datasheet IXFN170N25X3
pdf, 154 КБ
