IXTQ26N50P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 26А, 400Вт, TO3P, 300нс

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8 000 ֏

от 3 шт. — 6 300 ֏

от 10 шт. — 5 300 ֏

от 30 шт. — 4 620 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 000 ֏

Номенклатурный номер: 8002666567

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 26А, 400Вт, TO3P, 300нс Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	26 A
Pd - рассеивание мощности	400 W
Qg - заряд затвора	65 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	230 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	25 ns
Время спада	20 ns
Высота	20.3 mm
Длина	15.8 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	31 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXTQ26N50
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	58 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3P-3
Ширина	4.9 mm
Вес, г	5.5

Мы рекомендуем